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而三星的 260 億美元資本支出會如何分配?
IC Insights 表示,3D NAND Flash 方面,將花費 140 億美元在平澤 (Pyeongtaek) 工廠的產能擴大計畫;另外 70 億美元會用在 DRAM 製程轉移,以及填補製程轉移損失的容量消耗;晶圓代工部分,將花費 50 億美元用於提升 10 奈米製程能力。對三星擴大資本支出,IC Insights 表示,將對全球半導體產業造成影響,首當其衝的,就是 3D NAND Flash 產業。
中國証券報報導, 報告還認為,三星電子加大半導體設備投資力度或打擊亞太區其它半導體企業的投資信心,這有望讓三星電子和 SK 海力士繼續保持在半導體市場的主導地位,分析人士對此表示,從長遠來看,不排除三星電子大規模設備投資會給行業帶來負面影響。尤其是 SK 海力士 (000660-KR)、美光 (MU-US)、東芝 (6502-JP)、英特爾等也將加入競爭行列,行業競爭或日趨激烈;報告指出,如果亞太地區新生半導體企業沒有實現突破,可能將無法與三星電子等領先企業形成較為明顯的競爭格局。
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