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旺宏說，盧志遠在 1989 年受邀回台出任工研院電子所副所長，帶領工研院團隊執行台灣最大科專計畫─次微米計畫，不但讓台灣具備 8 吋晶圓產製能力，更成功將台灣推向世界高科技舞台；次微米計畫後衍生成立世界先進 （5347-TW），成為催化台灣記憶體產業的重要推手。
1999 年，盧志遠加入旺宏，專注非揮發性記憶體前瞻技術研發，帶領研發團隊持續在國際重要學術會議包括 IEDM、ISSCC、VLSI 等發表多項次世代記憶體先驅技術，研發實力屢獲全球高度肯定。
旺宏指出，今年在 2017 國際電子元件大會 IEDM 共有 4 篇論文入選，其中一篇有關揭露嶄新 3D NAND 記憶晶胞架構的論文，再獲選為亮點論文 （Highlight Paper），為台灣產學研界唯一獲選的單位。
盧志遠浸淫半導體界逾 30 年，對半導體界貢獻良多，獲得許多國內外獎項，包括美國電機電子學會 IEEE 千禧傑出獎章、潘文淵文教基金會研究傑出獎、有科技研發工程師界奧斯卡獎之稱的 IEEE Frederik Philips Award、國家最高榮譽科學研究獎項總統科學獎及世界科學院 （TWAS） 工程科學獎等。
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