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華邦電 (2344-TW) 今 (2) 日召開法說會,去年全年歸屬母公司淨利 55.51 億元,創 17 年新高,每股純益 1.54 元;總經理詹東義指出,今年 DRAM、Flash 市況健康,華邦電在 DRAM、NOR Flash,及 SLC NAND Flash(單層式儲存型快閃記憶體) 3 大產品線需求都很強,全年營運維持穩健。

華邦電去年第 4 季合併營收含新唐等子公司為 132.06 億元,營業毛利率 38%,季增 1.12 個百分點,年增 9.78 個百分點,歸屬母公司淨利 17.89 億元,每股純益 0.49 元;累計全年合併營收 475.92 億元,營業毛利率 34%,年增 5 個百分點,歸屬母公司淨利 55.51 億元,每股純益 1.54 元。

華邦電指出,記憶體事業群部份,去年利基型記憶體 (Specialty DRAM) 占全年營收 40%,年減 8%,主要是因為產能受限所造成;行動記憶體 (Mobile DRAM) 占全年度營收 13%,年增 5%,低容量產品需求增加;快閃記憶體 (Flash Memory) 占全年度營收 47%,年增 46%,成長動能來自產能增加及有利的市況所造成。

詹東義指出,目前在 DRAM、Flash 兩大記憶體營收占比約各一半,為兩大成長引擎,看好今年 DRAM、Flash 市況仍然健康,將持續增加產能,去年整體月產能 4.6 萬片,今年預計增至 5.2 萬片,DRAM、Flash 全年產能各增加 1 成以上。

他表示,目前產能仍然不夠供應客戶的需求,台中廠產能很擠,因應擴增產能需求,今年資本支出達 185 億元,較去年 152 億元增加,連續兩年資本支出都增加,今年 3X 奈米將量產,同時也將投入 2X 奈米的研發。

華邦電日 k 線圖

 

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