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〈記憶體狗年看俏〉去年DRAM整體產值年增76%

鉅亨網2018/02/13 12:47
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根據 TrendForce 記憶體儲存研究 (DRAMeXchange) 調查顯示,去年第 4 季 DRAM 產業營收再創歷史新高,產值季增 14.2%,全年產值年增 76%;從整體產值來看,DRAMeXchange 預估,今年 DRAM 產業產值將成長超過 3 成,規模將達 960 億美元。

DRAMeXchange 指出,從價格方面來看,受行動式記憶體接棒漲價帶動,加上智慧型手機旗艦機種旺季效應,以三星為首的 DRAM 廠拉抬行動式記憶體報價,帶動行動式記憶體在去年第 4 季有 5-20% 不等的漲幅 (取決於不同的容量),其餘各類 DRAM 產品合約價也普遍季漲約 5-10%。

DRAMeXchange 資深研究協理吳雅婷指出,展望今年第 1 季,PC-OEM 廠已陸續議定合約價格,就一線大廠訂價來看,PC DRAM 均價已來到 33 美元,季平均漲幅約 5%;以北美四大網路服務提供業者為首的資料中心拉貨動能仍強,帶動首季伺服器記憶體價格上漲 3-5%;智慧型手機第 1 季買氣較原先預期低迷,加上 NAND 跌價與中國發改委因素影響,行動式記憶體價格漲幅較先前收斂,平均價格小幅上漲約 3%。

觀察各廠去年第 4 季營收表現,三星穩坐 DRAM 產業龍頭,營收 101 億美元,季增 14.5%,再創歷史新高; SK 海力士營收衝至 63 億美元,季增 14.1%,兩大韓廠的市占率各為 46.0% 與 28.7%,合計已囊括 74.7% 的市占率;美光集團維持第三,營收 46 億美元,季增 13.4%,市占 20.8%。

受價格持續上漲及製程微縮所帶來的成本效益,三星去年第 4 季度營業利益率再度改寫歷史新高,由 62% 上升至 64%;SK 海力士從第 3 季度的 56% 提升至 59%;美光則從 50% 拉升至 53%。展望今年第 1 季,受惠於 DRAM 價格持續上漲與製程轉進所帶來的成本效益,三大廠在營收表現上可望再創新猷,各家獲利率也可望進一步提升。

從技術面來看,三星今年目標除持續提升 18nm 製程產出比重外,為期近兩年 DRAM 漲價帶動 DRAM 供應商的高獲利,及中國潛在競爭者的加入,讓三星決定展開新一波的擴產計畫,將原本規劃做 NAND Flash 的平澤廠二樓空間投入生產 DRAM,一方面因應 DRAM 供給吃緊狀況,另一方面藉由減少未來 NAND Flash 的投片量,來抑制 NAND  Flash 的跌價速度; DRAMeXchange 指出,此舉對整體記憶體產業屬健康發展,並非壞事。

SK 海力士去年底開始導入 18nm 的生產,但進入 1Xnm 世代製程難度高、轉換不易,SK 海力士目前仍致力提升 18nm 良率;擴廠計畫則維持不變,最快要到 2019 年才會在中國無錫新建的第二座 12 吋廠看到產能開出。

美光的技術布局方面,台灣美光記憶體 (原瑞晶) 17nm 目前產出比重已超過 9 成,預計今年第 2 季初將完成轉換,台灣美光晶圓科技 (原華亞科) 計畫今年中開始進行 20nm 往 17nm 的轉換,預計今年年底將可望有一半產能轉往 17nm 生產,並在明年上半年全數導入。

台系廠商部分,南亞科 (2408-TW) 去年第 4 季營收季增 26.9%,主要歸功 20nm 轉換良率超乎預期,及價格持續走揚帶動。20nm 的成本效益拉升營業利益率至 38.9%,較前一季成長 7 個百分點。展望未來,由於 20nm 良率繼續提升,將會持續改善成本結構,增加獲利空間。

力晶去年第 4 季 DRAM 營收季持平,主要還是替晶豪科、愛普等 IC 設計業者代工的獲利較佳,本身 DRAM 產能轉向更高毛利的產品;華邦電 (2344-TW) 去年第 4 季 DRAM 營收下滑 2.2%,主因為 DRAM 產能受 NOR Flash 產能壓縮所造成。

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