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從供給面來看，三星等大廠宣布擴產，將造成後續 DRAM 新產能增加，張家騉認為，新產能投產到實際產出的良率能合乎標準，約需半年至 1 年，預期明年起隨著市場供給明顯增加，明年 DRAM 價格可能下修。
NAND Flash 方面，張家騉指出，目前市場需求疲弱，處於供過於求狀態，且次級品在市場中流竄造成影響，價格已開始走跌，第 3 季雖步入智慧型手機備貨旺季，但他認為，第 3 季價格將受第 2 季影響，若第 2 季價格超跌，才可望使第 3 季價格反彈回升，若未能超跌，則第 3 季價格預期將持平。
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