▲ 華邦電總經理詹東義。(鉅亨網記者林薏茹攝)
▲ 華邦電總經理詹東義。(鉅亨網記者林薏茹攝)

記憶體大廠華邦電 (2344-TW) 今 (29) 日召開法說會,總經理詹東義表示,未來將深耕編碼型儲存快閃記憶體 (Code Storage Flash),推出高品質、高速的 SLC Serial NAND Flash,速度可與 NOR Flash 媲美,「我不覺得別人做得出來」,未來除搶攻車用領域外,包括智慧音箱等需求,均將成為推升華邦電在該領域市佔率的機會。

在 Flash 事業部分,詹東義表示,華邦電將深耕編碼型儲存快閃記憶體 (Code Storage Flash) 領域,推出高品質、高速的 SLC Serial NAND Flash,雖然目前華邦電在 SLC NAND 市佔率不高,製程也只有 4X 奈米,但效能不會較他廠的 2X 或 3X 奈米製程遜色,所推出的高品質與高速 SLC NAND 產品,可跟上 NOR Flash 的速度,「我不覺得別人做得出來」。

詹東義表示,未來 SLC Serial NAND Flash 將搶攻車用電子市場,且在此領域除車用電子外,包括無線耳塞式耳機、智慧音箱等需求,均可望成為推升華邦電在 Code Storage Flash 市佔率的機會。

此外,華邦電也是首家推出 1.2V 超低電壓 NOR Flash 的記憶體廠,且去年已有超低功耗 DRAM 應用於物聯網終端產品。針對物聯網資安佈局方面,詹東義表示,已開發出一系列符合歐盟資安規範的 Flash 產品,將於第 4 季陸續推出。

詹東義並強調,華邦電因應市場變化的策略,就是持續推出更有價值的新產品,而之所以要蓋高雄廠,正是因為有新產品持續加入,加上客戶增加,並非因為去年 DRAM 市場表現佳。

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