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第2季開始預期美系記憶體客戶標準型動態隨機存取記體（DRAM）封測可持續放量，法人預估南茂第2季業績可望季增1成，訂單能見度最快可在5月之後明朗。
受惠美中貿易戰效應，法人指出美系記憶體廠商開始將部分封裝訂單轉移到南茂，包括部分DRAM和快閃記憶體（Flash）封裝訂單。
在中國大陸布局，南茂先前與中國紫光集團合資經營孫公司上海宏茂，法人指出，目前上海宏茂晶圓來源主要來自客戶的NOR型快閃記憶體、紫光存儲的3D NAND訂單，以及小部分美系廠商快閃記憶體訂單。
法人預估上海宏茂今年虧損規模可望收斂，預估南茂今年認列虧損可在1億人民幣之內。
展望今年，法人預估南茂今年整體業績可望年增1成，毛利率可超過19.2%，每股純益可超過2元。
南茂先前預期，今年第1季業績可望符合季節性淡季表現落底，第2季開始可望逐季增溫，預估下半年業績表現走揚，主要在記憶體封裝出貨可明顯放量，今年下半年驅動IC封測產能可望填滿。（編輯：蘇志宗）1080221
