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集邦科技指出，三星華城廠區發生跳電的 NAND Flash 工廠為 Line 12，主要以生產 2D NAND 為主，並非主流 3D NAND 產品。
此外，該廠區也有 DRAM 生產 （Line 13 部分） 與 LSI 生產 （Line 11 與部分 Line 13），但由於 Line 13 目前只有 20 奈米製程，並非先進的 1X / 1Y 奈米製程。代工部分，主要以 CMOS 產品為主，加上跳電時間短、不斷電系統順利銜接，雖仍需停機檢查，但應可迅速恢復。三星內部目前仍在做災後評估。
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