記憶體是電腦的資料倉庫，傳統上主要分為速度快但斷電就消失的揮發性記憶體，另一種則是能長期保存資料，但速度較慢的非揮發性記憶體。然而，陽交大團隊打造一款「兩全其美」的記憶體，未來有望應用在大型語言模型，或是延長行動裝置電池續航並提升資料安全等。
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記憶體負責儲存指令、運算結果及各種運算所需的資訊，揮發性記憶體如動態隨機存取記憶體（DRAM）、靜態隨機存取記憶體（SRAM），速度快但斷電就消失；而快閃記憶體（Flash）能長期保存資料，但是速度較慢。近期科學界雖然嘗試開發新型記憶體，如相變化記憶體（PCM）、磁性隨機記憶體（STT-MRAM）、鐵電隨機存取記憶體（FeRAM）等始終難以兼顧「超高速切換」與「長期穩定性」。
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在國科會補助下，陽明交通大學助理教授黃彥霖領導的研究團隊攜手關鍵廠商、工研院、國研院國家同步輻射研究中心、史丹佛大學及國立中興大學等，成功突破自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體（SOT-MRAM）的關鍵材料限制，可讓此高速低功耗記憶體商用化，未來將有助於大型語言模型（LLMs）、行動裝置（延長電池續航並提升資料安全性）及車用電子與資料中心（高可靠度與低能耗）。
相關成果已發表在《Nature Electronics》期刊上，根據研究結果，此次材料膜層設計，大幅提升了鎢 （W） 材料的相穩定性，即使在高溫先進製程下，依然能保持卓越的自旋軌道力矩效應。這項突破首次展示：(1)64 kb SOT-MRAM 陣列整合 CMOS 控制電路；(2)超高速切換（1 ns）；(3)長期資料穩定性（>10 年）；(4)低功耗特性。這項成果不僅讓台灣在新世代記憶體技術上搶得先機，也為全球高速運算與低功耗應用開啟了全新篇章。