晶圓設備供應商艾斯摩爾 （ASML） 近期和比利時微電子中心 （IMEC） 達成新的合作協議，將共同研發新一代 EUV 光刻機，NA 數值孔徑由現有的 0.33 提高到 0.5，可望藉由光刻技術微縮水平的提升，製造出更小的電晶體。
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在半導體晶片的製造過程中，光刻是相當關鍵的步驟，決定了晶片的技術水平。而現有 EUV 光刻機所使用的是波長 13.5 奈米的極紫外光，透過升級 EUV 光刻機，將可大幅提升半導體工藝水平，實現 7 奈米以下的工藝技術。
據了解，ASML 和 IMEC 將成立一個聯合實驗室，合作研發高數值孔徑 （NA） 的 EUV 工藝技術，並將其應用於 EXE：5000 型光刻機，幫助 EUV 光源投射到更廣闊的晶圓上，進一步提升半導體工藝分辨率，減少電晶體尺寸。
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為發展 NA 光學系統，ASML 於去年投資 20 億美元入股鏡頭廠商蔡司 （Carl Zeiss），希望結合蔡司技術，共同開發 0.5 孔徑的 EUV 工藝，不過此項研究仍在進行當中，新一代 EUV 光刻機可能要到 2024 年才能問世。
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