致力於重塑全球半導體材料版圖的永泉晶圓（Yongquan Wafer），今（2025）年宣佈重大技術突破。繼4月成功研製出12吋 SiC（碳化矽）單晶晶錠後，於 9 月正式達成穩定量產，成為全球（非中國大陸地區）首家具備12吋 SiC 量產能力的企業。此舉不僅確立了永泉晶圓在大尺寸化合物半導體領域的領導地位，更使其產品成功切入 AI 伺服器與高效能運算（HPC）供應鏈，成為解決次世代散熱瓶頸的關鍵材料供應商。
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突破技術極限12吋 SiC 成 AI 時代散熱救星 隨著 AI 伺服器功耗飆升，散熱能力已成為運算效率的決勝點。永泉晶圓憑藉自主研發的長晶設備與熱場設計，成功克服大尺寸長晶難題。其 12 吋 SiC 產品具備高導熱、高強度及高耐熱應力特性，被視為頂層散熱結構的理想材料，目前已獲國際客戶導入高階 IC 散熱方案。
永泉晶圓同步提出八項核心發明專利，涵蓋長晶技術、石墨坩鍋熱場設計及粉料製造，並達成從「材料」到「設備」的垂直整合，技術門檻大幅領先同業。
深耕八年有成，車規級產品獲日系大廠採用2018年成立以來，永泉晶圓專注於 SiC 技術極限突破。2024年於桃園中壢建置先進生產基地後，其 6 吋與 8 吋 SiC 單晶晶錠良率穩定突破 85%，晶錠厚度達 25–35mm，技術指標全球領先。
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永泉晶圓發言人戈副總表示，公司 6 吋與 8 吋產品已通過多家日本車用大廠嚴格測試，廣泛應用於電動車逆變器、OBC 車載充電器及快充系統，顯示產品已具備全球一線車規級實力。
攜手工研院 開發次世代 350 W/mK 高散熱基板 展望未來，永泉晶圓持續深化產研合作。2025 年 5 月獲選經濟部「產業升級創新平台」計畫，與工研院共同開發熱傳導係數超過 350 W/mK 的複合型新材料，目標全面取代高階氮化鋁（ALN）DPC 基板。戈副總指出，這項技術將為射頻（RF）前端模組與功率模組帶來革命性影響，助攻台灣在全球化合物半導體供應鏈中搶佔核心地位。