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從供給面來看,三星等大廠宣布擴產,將造成後續 DRAM 新產能增加,張家騉認為,新產能投產到實際產出的良率能合乎標準,約需半年至 1 年,預期明年起隨著市場供給明顯增加,明年 DRAM 價格可能下修。
NAND Flash 方面,張家騉指出,目前市場需求疲弱,處於供過於求狀態,且次級品在市場中流竄造成影響,價格已開始走跌,第 3 季雖步入智慧型手機備貨旺季,但他認為,第 3 季價格將受第 2 季影響,若第 2 季價格超跌,才可望使第 3 季價格反彈回升,若未能超跌,則第 3 季價格預期將持平。
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