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韓國半導體大廠 SK 海力士 (000660-KR) 推出了全球首款 96 層 512GB 的 「4D NAND 快閃記憶體」。

SK 海力士在現有的 3D NAND 記憶體所採用的 Charge Trap Flash(CTF) 架構上,搭配 Peri Under Cell(PUC) 技術,研發出全球第一款 4D NAND 快閃記憶體,該公司預計將在年底前開始量產 96 層 512GB 的 4D NAND 快閃記憶體。

該公司表示,SK 海力士是在產業中第一個將 3D CTF 與 PUC 融合的公司,並且將帶來業界最好的性能和生產力。該公司將產品正式命名為「基於 CTF 的 4D NAND 快閃記憶體」,以區別目前市面上的 3D NAND 快閃記憶體技術。

與現行的 72 層 512GB 3D NAND 相比,4D NAND 晶片尺寸減少了 30%,並且每個晶圓的生產率提高了 49%。此外,該產品的寫入速度提高了 30%,讀取速度提高了 25%。數據寬頻成長了一倍,達到業界最大的 64KB。隨著多閘極電晶體結構的引入,數據輸入輸出速度在 1.2 伏特下達到 1,200 兆 Mbps。

今年 8 月份,在加州舉行的快閃記憶體峰會 (FMS) 上,SK 海力士曾預告將推出各種 4D NAND 的應用來提升解決方案市場的競爭力。

SK 海力士預計在今年內推出採用 4D NAND 快閃記憶體且容量為 1TB 的消費性固態硬碟 (SSD) 產品,而企業級固態硬碟計畫將在 2019 年下半年推出。

「這種基於 96 層 CTF 的 4D NAND 具有業界最高的成本競爭力和性能,將成為公司 NAND 快閃記憶體業務的里程碑,並成為未來產品開發的平台,」副總裁兼 NAND 營銷主管 J.T. Kim 表示:「公司計劃在今年內開始進行量產,並進一步擴大 M15 產線,以積極回應客戶需求。」

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