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據韓媒《Business Korea》報導,三星電子 (Samsung Electronics) 已經成功開發了業界首個 3 奈米晶片製程,此項成就有望加速三星實現 2030 年的半導體願景計劃,該願景計劃旨在 2030 年成為系統半導體和存儲晶片領域的龍頭。

三星電子副董事長李在鎔於週四 (2 日) 訪問了位於南韓華城市的半導體研究中心,並釋出三星電子已成功研發首個 3 奈米微製造技術 (Microfabrication Technology) 的消息。

與三星近期的 5 奈米製程產品相比,3 奈米製程的晶片尺寸縮小了 35%,功耗降低了 50%,但性能卻提高了 30%;三星也計劃在 2022 年開始利用 3 奈米製程大規模生產晶片。

而三星的主要競爭對手台積電先前曾表示,台積電 5 奈米製程將依進度於今年上半年量產,3 奈米將於 2022 年量產,位於新竹寶山的研發中心也預計今年第 1 季動工。

另一方面,鑑於 5G 網路的快速發展,三星擬計畫再注資 80 億美元於其中國西安二期晶片工廠,以提高 NAND 快閃記憶體的產能,市場預測明年半導體需求將回彈。

《Business Korea》指出,三星為了應對 5G 設備與網路不斷增長的需求,從 2017 年開始啟動為期三年的西安工廠擴建計畫,第一階段投資 70 億美元,估計第二階段將再投入 80 億美元。目前二期項目總投資 150 億美元。

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