▲ 南茂董事長鄭世杰。(鉅亨網記者林薏茹攝)
▲ 南茂董事長鄭世杰。(鉅亨網記者林薏茹攝)

半導體封測大廠南茂 (8150-TW) 董事長鄭世杰今 (17) 日表示,近期包括標準型 DRAM、低容量 NAND Flash 等,均有封裝新品進行驗證中,預計明年首季完成,並於下半年陸續發酵,將成為明年下半年營收成長動能。

記憶體方面,鄭世杰表示,DRAM 部分,近期已有標準型 DRAM 新產品在驗證中,預計明年首季陸續完成,而 NAND Flash 也有低容量封裝新品持續進行中,預期 DRAM 與 NAND  Flash 新品,均可望在下半年陸續發酵。

法人指出,南茂與美光雙方合作十分密切,南茂目前已有 DRAM 封裝新品在美光進行驗證,而南茂給美光的 DRAM 封裝全產能,每月上看 5000 萬顆。

南茂第 3 季記憶體封測營收占比約 39.6%,驅動 IC 占比約 51.1%,邏輯與混合訊號等占比約 1 成。其中,第 3 季受惠 DDIC 測試與 12 吋 COF 報價上調,帶動驅動 IC 營收季增幅度最大,據悉,南茂 10 月相關報價持續上調,第 4 季單季營收仍可望持續成長。

對於明年資本支出,鄭世杰表示,明年資本支出約為年營收 20% 至 25%,且超過一半以上的資本支出,主要以驅動 IC 封測為主。

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