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GAA 技術將解決工程師多年來,在晶片製程縮小過程中遇到的難題,且能延續摩爾定律的持續發展。
奈米晶片製程一直是各大晶圓廠爭相比較的技術,繼台積電日前宣布將於 2020 年量產 5 奈米製程,如今三星也不惶多讓,上月更宣布將投入近 1,160 億美元,來擴大非記憶體晶片和晶圓代工業務。
據報導指出,這項新推出的 3 奈米製程,將能使三星在先進製程方面,與台積電和英特爾角逐,甚至領先兩大晶圓廠。
GAA 小檔案
全名 Gate-All-Around,又被稱為「閘極全環」,是一種多閘極電晶體 (Mulitgate Device),指得是能使用一個電極來同時控制多個閘極的電晶體,GAA 是當前 FinFET 進化版的晶片生產技術,FET,或稱為「環繞式結構 FET」,能對晶片核心進行全新改造與設計,使晶片更小,處理速度更快商業諮詢公司 International Business Strategies 執行長 Handel Jones 說道:「三星在 GAA 的發展技術上,大約領先台積電一年,甚至領先英特爾二到三年」。
加州 Santa Clara 市的晶圓代工業務營銷副總裁 Ryan Lee 則表示,GAA 技術的創新,會是未來晶圓發展 2 奈米製程,或甚至 1 奈米製程的關鍵技術。
對此台積電和英特爾並未發表評論。
目前三星有望在 2020 年,量產 5 奈米製程產品,此番預計在 2021 年發展 3 奈米製程的宣布,將能吸引像是蘋果、高通、AMD 等目前台積電客戶的青睞,以達到三星拓展晶圓業務的目標。
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