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據了解,ASML 和 IMEC 將成立一個聯合實驗室,合作研發高數值孔徑 (NA) 的 EUV 工藝技術,並將其應用於 EXE:5000 型光刻機,幫助 EUV 光源投射到更廣闊的晶圓上,進一步提升半導體工藝分辨率,減少電晶體尺寸。
為發展 NA 光學系統,ASML 於去年投資 20 億美元入股鏡頭廠商蔡司 (Carl Zeiss),希望結合蔡司技術,共同開發 0.5 孔徑的 EUV 工藝,不過此項研究仍在進行當中,新一代 EUV 光刻機可能要到 2024 年才能問世。
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