研調看好明年記憶體價格止跌反彈 次世代記憶體可望切入

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研調機構集邦科技記憶體儲存研究 (DRAMeXchange) 認為,次世代記憶體與現有解決方案各有優劣,最關鍵的機會點仍是在於價格,預期明年在需求陸續回溫之下,加上庫存回補動能啟動,可望推升記憶體價格止跌反彈,也將讓次世代記憶體有機會切入市場。

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DRAMeXchange 表示,現有記憶體解決方案面臨製程微縮的物理極限,要持續提升性能與降低成本,都更加困難,也因此,目前包含英特爾、三星與美光等記憶體廠商,皆已投入次世代記憶體解決方案,如 MRAM、PRAM 和 RRAM 等。

以 Intel 的 Optane 為例,是以 3DxPoint 為設計基礎的伺服器類產品,由於現在已推出與市面上伺服器模組能完全相容的 DIMM,對主機板設計廠而言,同樣的插槽可依據整機成本的考量,自由更換伺服器記憶體模組或 Optane 解決方案。

然而,次世代記憶體尚未規模化與標準化,成本較高,目前廠商幾乎都鎖定在資料中心等特殊應用,尤以超大規模資料中心,擁有相對高程度的客製化設計,可針對不同記憶體規劃新的配置。

近年來由於智慧終端裝置的普及加上人工智慧技術逐漸成熟,使得部分應用服務皆藉由伺服器進行統合,尤其是需要倚賴龐大數據進行運算與訓練的應用服務。且隨著虛擬化平台及雲儲存技術發展,對伺服器的需求與日俱增,也帶動超大規模資料中心的成長。

從市場面來看,DRAMeXchange 指出,目前 DRAM 與 NAND Flash 均處於供過於求情況,使現有記憶體解決方案價格維持低點。DRAM 受到伺服器與手機需求下滑影響,庫存水位攀高,帶動價格走跌;NAND 則因競爭者眾,陷入市占爭奪狀態,使今年 DRAM 與 NAND 價格同時滑落,且 NAND 價格正進逼廠商現金成本。

不過,DRAMeXchange 看好,現有記憶體解決方案價格越來越便宜,對次世代記憶體來說,並非最好的切入點,但未來在需求陸續回溫,加上價格彈性所帶動的庫存回補動能,可望推升明年記憶體價格止跌反彈,也讓次世代解決方案有機會切入市場,甚至未來幾年間,在資料中心等特殊領域中,可望逐漸增加次世代記憶體的運用。

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