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報導稱，自2018年8月起至2019年，某A涉嫌以不當手法獲取三星廠房的基本工程資料（Basic Engineering Data，BED）以及流程、設計圖等資訊，其中更包含製造30奈米以下DRAM與NAND快閃記憶體技術，兩者均被韓國列為國家關鍵技術。
韓國檢方調查發現，某A試圖在距離三星電子西安半導體工廠約1.5公里處，複製一間「山寨版」三星晶片廠，惟因某間台灣電子產品製造商承諾的8兆韓元（約1910億新台幣）最後落空，導致工廠建設未能順利進行，但報導稱該男已曾藉由在成都獲得的另一筆4600億韓元資金，投資建設了一間半導體製造工廠，該工廠的研發處更於去年完工並採用三星半導體技術生產出了樣品。
該男不僅是韓國半導體製造領域的權威人物，他更錄用了200名三星電子、SK海力士的員工，指示他們在中國工廠取得且利用三星電子半導體設計資料，韓國檢方推估這導致三星電子蒙受至少3000億韓元（約新台幣71.6億元）的損失。
檢方強調，這起犯罪事件的嚴重程度，與過去任何半導體技術洩露案件都難以相提並論，不論從犯罪規模、損害程度或在中國複製韓企工廠的做法來看，都是對於韓國半導體產業，乃至國家經濟安全造成嚴重危害的重大犯罪行為。
