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此外，第 3 季適逢傳統旺季，加上美國將從 12 月起，對部分中國出口的電子產品課徵關稅，產生提前拉貨效應，需求力道超過預期，使 DRAM 原廠在價格議定時，態度更為堅定，帶動整體第 3 季價格扭轉跌勢，轉為持平。
展望 2020 年，由於三大 DRAM 原廠仍以獲利為導向，資本支出估將較今年減少至少 10%，明年產出年增率也將是近十年來新低，僅 12.5%，為價格反彈奠定一定基礎。
TrendForce 調查顯示，DRAM 原廠擴廠計畫轉趨保守，如三星平澤二廠已近完工，但最快要 2020 年第 2 季，才會進入商轉，且新增的設備僅是為支持未來轉進 1Znm 製程，整體投片量將與今年大致相同。SK 海力士最新 M16 工廠，最快明年下半年完工，產出增加最快要等到 2021 年，加上舊工廠 M10 逐步轉做代工，預估明年整體 DRAM 投片量將不增反減。
美光今年在廣島廠旁增設的 F 棟工廠，也是為支援 1Znm 製程轉進，整體廣島廠產能並無增加。台灣美光記憶體目前正在興建的 A3 新廠，初期也是支援 1Znm 製程轉進，短期增產機會並不大，但 A3 廠基地面積不小，未來還是有擴產的可能。
中國目前有 2 個 DRAM 生產基地，規模較大的合肥長鑫存儲 （CXMT） 已初步投產，初期產品以 DDR4 8Gb 為主，明年上半年將推出 LPDDR4 8Gb 產品，朝量產邁進，但預計要 2021 年，產能才有機會達到滿載的 100K、甚至以上。福建晉華雖受美國禁令影響，美系設備無法有工程人員駐廠維護，但內部仍試圖自行將參數調整至最佳化，預計明年投片有 10K 之內的水準。
TrendForce 預估，2020 年中國 DRAM 投片量占全球投片量的比重低於 3%，自主生產成果仍有限。展望未來，中國記憶體產業仍需克服良率、機台建置及 IP 相關限制等挑戰，對整體 DRAM 供給產生明顯衝擊的確切時間點，仍需持續觀察。
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