三星跳電事件推升客戶備貨意願 DRAM合約價本季反轉

三星跳電事件推升客戶備貨意願 DRAM合約價本季反轉

鉅亨網

calendar_today2020-01-08 15:30:01

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研調機構 TrendForce 記憶體儲存研究 (DRAMeXchange) 最新調查指出,近一個月來 DRAM 現貨價持續走揚,加上去年 12 月 31 日三星華城廠區發生跳電,推升買方備貨意願增強,再修正今年首季 DRAM 合約價預測,由「大致持平」調整為「小漲」,價格正式提前反轉向上。
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TrendForce 指出,雖然整體記憶體的供給,並未因三星華城廠區跳電事件,而受到重大影響,但各產品買方備貨意願已進一步增強,預期今年首季合約價將正式反轉。
TrendForce 也預期,第 1 季標準型、行動式及利基型記憶體價格,將由「小跌」轉為「持平或小漲」。其中,標準型記憶體方面,雖然首季價格仍在議定中,但預估持平甚至小漲可能性高。

TrendForce 指出,先前受美中貿易戰不確定性影響,大部分銷往美國的筆電,都趕在去年第 4 季出貨,導致今年首季出貨較疲弱,但考量今年 DRAM 供給位元成長幅度僅不到 13%,加上三星跳電事件的影響,PC OEM 廠已做好 DRAM 將漲價的可能,積極建立庫存水位,在採購上願意接受持平或更高的模組合約價;若原廠能夠在第 1 季增加供貨量,買方甚至願意接受更高的價格,以確保安全庫存水位。

行動式記憶體方面,雖然第 1 季智慧型手機市場受惠 5G 題材有所支撐,但 5G 晶片初期供應數量有限,加上傳統淡季影響,拉貨動能仍偏弱,不過,去年 12 月中起,除伺服器記憶體與繪圖用記憶體需求增溫,帶動整體價格走勢提前反轉外,NAND Flash 供應告急同樣激勵 eMCP 價格表現,對行動式記憶體價格預估由「小跌」調整為「大致持平」。

至於利基型記憶體,由於三星華城廠區 DRAM 生產重心主要為 20/25nm 利基型記憶體,加上受現貨市場價格上揚影響最直接,利基型記憶體價格可望因此提早反彈。TrendForce 認為,雖然鎖定季度合約價第一線大客戶有機會守住持平,但原廠供貨達成率不到 6 成,加上採購端先前未積極備貨,導致庫存偏低,月合約價可能開始逐月向上。
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