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在 10 月底發布的第 3 季財報中，三星預估年度施設的投資額為 29 兆韓元，由於公司在前 3 季於設施的投資為 16.8 兆韓元，因而計畫在第 4 季投資 12.2 兆韓元。
當時三星認為，雖然半導體市場不景氣，但計畫將第 4 季投資的重點，放在記憶體生產的基礎設備上，以滿足中長期需求。此外，他們還打算引進極紫外光刻 （EUV） 技術，以增強在晶圓廠的競爭力，以及升級至量子點 （Quantum Dot,QD） 顯示器的布局。
為此，它計畫光在第 4 季就在半導體方面投資 9.9 兆韓元，在顯示器方面投資 1.6 兆韓元。
但現實情況是，大型 IT 客戶對記憶體晶片的需求，並未如三星所預期的復甦，迫使三星更動了一些原本的投資計畫，中國的西安廠、華城工廠的 EUV 專用生產線，以及平澤的記憶體新廠，均延後啟用。
在這種情況下，業內觀察家預測，三星今年在半導體設施上的投資將與 2019 年類似。
一位產業分析師表示，三星半導體領域的投資，已於 2017 年達到高峰，考慮到記憶體需求自 2018 年以來就呈現低迷，三星不太可能今年擴大投資，至 30 兆韓元以上。
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