全球最大記憶體晶片製造商三星今(8)日發佈最新營收、財測報告，由於全球對人工智慧伺服器的需求大幅推高了記憶體晶片價格，第四季度利潤成長超過三倍，達到208%。
根據《彭博》報導，三星電子公司季度利潤成長超過3倍，創歷史新高。截至 12 月的三個月內，初步營業利潤達 20 兆韓元，大幅成長 208%，超越分析師預期。營收則成長 23% 至 93 兆韓元，同樣刷新紀錄。三星股價週四上午一度上漲 2.5%，延續了自年初以來上漲 20% 的走勢。
報導提到，在全球爭相部署大型資料中心的浪潮下，三星等記憶體製造商正將產能從一般科技產品轉向為輝達等 AI 巨頭生產利潤更高的高階晶片。這導致筆記型電腦與伺服器所需的標準記憶體嚴重短缺，造成 DRAM 和 NAND 價格飆升。
里昂證券韓國研究主管拉那（Sanjeev Rana）表示，超大規模數據中心和雲端服務提供商正在大量購買DRAM，並且他們願意溢價支付，
他表示，DRAM的平均售價在去年12月當季上漲超過30%，NAND快閃記憶體的平均售價上漲約20%，他補充，價格可能在2026年全年以及2027年上半年保持強勁勢頭。他研判， 「即使之後，我們可能也不會看到太大的回調，因為需求太強勁，供應太緊張。」
彭博分析師 Masahiro Wakasugi 和 Takumi Okano 認為，三星 2025 年第四季初步營業利潤率，顯示其受益於傳統 DRAM、高頻寬記憶體（HBM）及 NAND 晶片的強勁需求。
彭博指出，在高頻寬記憶體（HBM）領域一度落後 SK 海力士與美光的三星，已於去年將其新一代 HBM4 樣品交付輝達進行驗證測試。這燃起了市場希望，認為三星有望縮小與對手的差距，並在今年上半年開始量產，里昂證券預測，隨著 HBM4 進入商業供應，三星 2026 年的 HBM 總出貨量將增長三倍。
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報導提到，在全球爭相部署大型資料中心的浪潮下，三星等記憶體製造商正將產能從一般科技產品轉向為輝達等 AI 巨頭生產利潤更高的高階晶片。這導致筆記型電腦與伺服器所需的標準記憶體嚴重短缺，造成 DRAM 和 NAND 價格飆升。
里昂證券韓國研究主管拉那（Sanjeev Rana）表示，超大規模數據中心和雲端服務提供商正在大量購買DRAM，並且他們願意溢價支付，
他表示，DRAM的平均售價在去年12月當季上漲超過30%，NAND快閃記憶體的平均售價上漲約20%，他補充，價格可能在2026年全年以及2027年上半年保持強勁勢頭。他研判， 「即使之後，我們可能也不會看到太大的回調，因為需求太強勁，供應太緊張。」
彭博分析師 Masahiro Wakasugi 和 Takumi Okano 認為，三星 2025 年第四季初步營業利潤率，顯示其受益於傳統 DRAM、高頻寬記憶體（HBM）及 NAND 晶片的強勁需求。
彭博指出，在高頻寬記憶體（HBM）領域一度落後 SK 海力士與美光的三星，已於去年將其新一代 HBM4 樣品交付輝達進行驗證測試。這燃起了市場希望，認為三星有望縮小與對手的差距，並在今年上半年開始量產，里昂證券預測，隨著 HBM4 進入商業供應，三星 2026 年的 HBM 總出貨量將增長三倍。