英特爾今（17）日在VLSI研討會上，公布英特爾晶圓代工（Intel Foundry）最新製程藍圖與長期投資的進展，並宣布Intel 18A家族首款效能強化版本Intel 18A-P已正式進入風險量產（Risk Production）階段。執行副總裁暨晶圓代工總經理Naga Chandrasekaran表示，研討會分享最新進展，向客戶及合作夥伴再次展現英特爾長期投入先進製程創新的承諾。

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透過電晶體、互連技術以及設計技術協同最佳化（DTCO），英特爾持續提升Intel 18A-P製程在效能、功耗及設計方面的整體優勢。

18A-P技術進展

  • 相較Intel 18A製程，Intel 18A-P在相同功耗下，可提供最高達9%效能提升；或在相同效能下可降低最高18%功耗，同時具備更優異的散熱表現與更大的設計彈性。
  • Intel 18A-P具備最新Power Boost技術，採用全新的雙接點（dual contact）及低電阻電晶體設計，在相同電容下提升驅動電流，進一步提高運作頻率。
  • 透過材料與設計創新，可提升20%~40%的散熱效能。
  • 透過幾何結構與材料最佳化，將晶片層間垂直互連通孔（Via）電阻降低10%~30%，提升訊號傳輸效率。
  • 透過PMOS應變工程提升載子遷移率（Mobility），讓電流更有效率地通過電晶體。
  • 提供全新低功耗及高效能電晶體選項，以滿足不同產品設計需求。
  • 於超低臨界電壓（Ultra Low Voltage Threshold，ULVT）與低臨界電壓（Low Voltage Threshold，LVT）之間，新增第五組邏輯臨界電壓（Vt），提供設計人員更多速度與功耗最佳化的平衡空間。
  • Intel 18A-P與Intel 18A之設計規則完全相容，可直接沿用既有IP與設計流程，加速產品開發。
  • 與Intel 18A相同，Intel 18A-P提供180奈米與160奈米兩種標準元件高度，以及50奈米的接觸式多晶矽閘極間距（Contacted Poly Pitch）。
導入環繞式閘極電晶體、背面供電技術

英特爾去年率先於Intel 18A製程導入環繞式閘極（GAA）電晶體與背面供電技術。本週在研討會上說明這2項核心技術如何為未來邏輯晶片提供更高效能、更佳能源效率及持續微縮能力奠定基礎。

英特爾晶圓代工副總裁暨院士Eric Karl展示，如何量化背面供電與環繞式閘極電晶體所帶來的技術優勢。他指出，相較於傳統正面供電互連架構，此技術可減少11%的佈線面積，並將動態電壓驟降減少達10倍，進而實現最高6%的頻率提升，或降低超過15%的動態功耗。

英特爾晶圓代工矽與平台工程事業群Manju Shamanna分享採用環繞式閘極電晶體與背面供電技術打造的CPU核心實測成果。結果顯示，在較低工作電壓下可獲得更優異的頻率擴展能力，包括在約0.5V的低電壓環境下提升30%運作頻率，同時降低供電電壓損失（IR Drop），並進一步提升整體運作效率。

英特爾會中分享多項長期研發成果，聚焦未來半導體持續微縮的重要技術方向，包含互補式場效電晶體（CFET）、氮化鎵（GaN）與矽（Si）整合電源管理技術、減材釕互連技術。


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李青縈編輯記者

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