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受到供應商調整擴產計畫影響，雖然各供應商已於去年第 4 季起量產 92/96 層 3D NAND，但直到今年底將僅占位元產出約 32%，64/72 層的產出占比仍有逾 5 成，供應商放緩製程的推進，造成今年 NAND Flash 位元成長將僅約 38%，相比去年逾 45% 的水準明顯下滑。
觀察各供應商產能調整，DRAMeXchange 指出，三星持續減產 2D NAND 產能，加上 92 層製程消耗更多的廠房空間，今年運轉產能將較去年底下調，位元產出成長率降至約 35%，由於三星全球市占率約 3 成，三星位元產出成長率放緩，對全球產出成長影響較大。
SK 海力士和東芝 / 威騰原先位元產出成長率預估值分別約為 5 成與 4 成水準，但預期會各下修至 5 成以下，及約 35% 水位，以反映今年市場需求的急凍；美光新加坡新廠則要等到 2020 年才正式量產，全年產能幾乎維持不變；英特爾除填滿大連廠產能，並無宣布其他擴產規劃，美光與英特爾陣營今年整體位元產出成長接近 4 成水準，相較去年 45% 以上明顯收斂。
對於今年 NAND Flash 價格走勢，DRAMeXchange 指出，原廠在各產品線的合約價報價跌幅，明顯高於原先預期，顯示原廠正面臨龐大的庫存壓力，預期今年第 1 季市場均價季度跌幅，可能從原先估計的 10%，提高至 2 成水準，第 2 季報價可能將續跌近 15%，下半年雖有旺季需求挹注，跌幅可望略微收斂，但各季價格跌幅仍將維持在 1 成左右水準。
DRAMeXchange 認為，今年旺季若仍無足夠需求動能支撐，NAND Flash 市場均價跌幅則可能擴大至 5 成水準，近乎腰斬。
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