DRAM供應震盪持續發酵，瑞士銀行（瑞銀）發表最新產業報告示警，生成式AI帶動高效能記憶體需求飆升，正把全球DRAM供應結構推向AI伺服器所需的HBM，車用等級DRAM面臨「漲價與短缺」雙重擠壓，供應鏈擾動風險可能自2026年第二季開始浮現，並在2026至2027年技術切換期放大為成本與交期的系統性挑戰。
根據外媒報導，在瑞銀的財務模型中，零件供應商將是最先承壓的一環。瑞銀也提醒，電子與ADAS（先進駕駛輔助系統）業務占比較高的供應商，將是風險暴露度最高的一群。
報告指出，三星、SK海力士與美光等全球三大DRAM供應商，為追求更高利潤，已明確將產能重心轉向AI伺服器所需的HBM。由於汽車級DDR記憶體與AI晶片共用矽晶圓產能，每一片被分配給HBM的晶圓，等同於壓縮汽車用DRAM的供給空間。瑞銀統計，截至目前DRAM市場價格已累計上漲超過100%，且漲勢正逐步向汽車級產品傳導，使車用供應鏈面臨前所未見的成本與交期壓力。
報導指出，在基準情境下，假設DRAM價格上漲120%，且供應商僅能向整車廠回收80%的成本，2026年零件商EBIT預估將下滑5%至6%。若情勢惡化至極端情境，DRAM漲幅擴大至200%、成本回收比例降至50%，EBIT跌幅恐飆升至24%，獲利縮水規模接近原本的一半，對財務體質形成實質衝擊。
對整車廠而言，風險雖具滯後性，卻更具結構性。當前供應尚未出現明顯中斷，但未來12至24個月的穩定性正快速惡化。尤其是採用集中式運算架構的高階品牌與新創車廠，由於單車DRAM含量顯著提高，對價格波動的敏感度遠高於傳統車型，成本壓力也更難被吸收。
瑞銀進一步指出，這波DRAM風險的本質，在於半導體資源重新分配與汽車技術迭代節奏的錯配。
一方面，AI對HBM的需求自2025年起急速攀升，迫使供應商加速調整晶圓配置；另一方面，汽車產業正從DDR4、LPDDR4等舊規格，轉向DDR5新世代記憶體，但車用晶片的測試、驗證與導入週期往往超過2年。結果是在2026至2027年間，舊技術產能逐步退場、新技術尚未全面就位，形成一段危險的「技術斷層」。
瑞銀提醒，電子與ADAS（先進駕駛輔助系統）業務占比較高的供應商，將是風險暴露度最高的一群。在歐美市場中，部分零件商相關業務比重已超過50%、首當其衝。
對整車廠而言，雖然DRAM成本在整車售價中的占比仍有限，但隨著智慧座艙與高階自駕功能普及，單車DRAM成本已達25至150美元（約新台幣790-4744元），高階車款甚至更高，使成本傳導效應不容忽視。
整體而言，瑞銀認為，短期內庫存與長約或可提供緩衝，但真正的結構性解方，恐怕要等到2028年後、透過新一輪產品設計與供應鏈重組才能實現。
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報告指出，三星、SK海力士與美光等全球三大DRAM供應商，為追求更高利潤，已明確將產能重心轉向AI伺服器所需的HBM。由於汽車級DDR記憶體與AI晶片共用矽晶圓產能，每一片被分配給HBM的晶圓，等同於壓縮汽車用DRAM的供給空間。瑞銀統計，截至目前DRAM市場價格已累計上漲超過100%，且漲勢正逐步向汽車級產品傳導，使車用供應鏈面臨前所未見的成本與交期壓力。
報導指出，在基準情境下，假設DRAM價格上漲120%，且供應商僅能向整車廠回收80%的成本，2026年零件商EBIT預估將下滑5%至6%。若情勢惡化至極端情境，DRAM漲幅擴大至200%、成本回收比例降至50%，EBIT跌幅恐飆升至24%，獲利縮水規模接近原本的一半，對財務體質形成實質衝擊。
對整車廠而言，風險雖具滯後性，卻更具結構性。當前供應尚未出現明顯中斷，但未來12至24個月的穩定性正快速惡化。尤其是採用集中式運算架構的高階品牌與新創車廠，由於單車DRAM含量顯著提高，對價格波動的敏感度遠高於傳統車型，成本壓力也更難被吸收。
瑞銀進一步指出，這波DRAM風險的本質，在於半導體資源重新分配與汽車技術迭代節奏的錯配。
一方面，AI對HBM的需求自2025年起急速攀升，迫使供應商加速調整晶圓配置；另一方面，汽車產業正從DDR4、LPDDR4等舊規格，轉向DDR5新世代記憶體，但車用晶片的測試、驗證與導入週期往往超過2年。結果是在2026至2027年間，舊技術產能逐步退場、新技術尚未全面就位，形成一段危險的「技術斷層」。
瑞銀提醒，電子與ADAS（先進駕駛輔助系統）業務占比較高的供應商，將是風險暴露度最高的一群。在歐美市場中，部分零件商相關業務比重已超過50%、首當其衝。
對整車廠而言，雖然DRAM成本在整車售價中的占比仍有限，但隨著智慧座艙與高階自駕功能普及，單車DRAM成本已達25至150美元（約新台幣790-4744元），高階車款甚至更高，使成本傳導效應不容忽視。
整體而言，瑞銀認為，短期內庫存與長約或可提供緩衝，但真正的結構性解方，恐怕要等到2028年後、透過新一輪產品設計與供應鏈重組才能實現。