中國記憶體供應鏈近來動作頻頻，中國DRAM主力廠長鑫存儲（CXMT）被傳正在籌備上市，是否會威脅韓美同業引發關注。不過韓國產業界認為，在記憶體這種靠量產磨出來的產業裡，最難買到的不是機台，而是製程穩定、提升良率的經驗。
從市占來看，全球DRAM版圖目前由三星電子、SK海力士與美光牢牢掌握，合計超過九成，且真正決勝點並不在中低階DRAM，而在AI核心最吃重的先進DRAM與高頻寬記憶體（HBM）。
韓國業界認為，這不是單純的產能規模，而是長年與一線客戶協作、把極度複雜的製程轉化為可持續量產的能力。
長鑫存儲緊追三大廠，成立十餘年，到2025年首次轉虧為盈，全球DRAM市占目前約4%。在最尖端節點上仍落後數個世代，但在「半導體自主化」與中美科技競爭加溫的背景下，產品推進與客戶拓展速度明顯加快。長鑫已對外宣示量產DDR5與LPDDR5X，以及預計切入HBM3等級產品，只是HBM被認為是記憶體製造裡門檻最高的一段。
而在AI最關鍵也最賺錢、落差最大的HBM，韓國已在量產HBM3E並推進HBM4，中國則仍卡在堆疊精度、熱管理與穩定良率等細節，短期難以靠砸錢速成。
韓媒指出，半導體世代迭代太快，一旦錯過節點轉換，舊技術很快就失去經濟價值；即便在中低階市場取得份額，也不等於能動搖高端記憶體長期格局。換言之，中國追趕速度正在加快，但要在先進DRAM與HBM這條最硬的戰線改寫版圖，還有一段必須靠時間與量產驗證來換取的路要走。
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韓國業界認為，這不是單純的產能規模，而是長年與一線客戶協作、把極度複雜的製程轉化為可持續量產的能力。
長鑫存儲緊追三大廠，成立十餘年，到2025年首次轉虧為盈，全球DRAM市占目前約4%。在最尖端節點上仍落後數個世代，但在「半導體自主化」與中美科技競爭加溫的背景下，產品推進與客戶拓展速度明顯加快。長鑫已對外宣示量產DDR5與LPDDR5X，以及預計切入HBM3等級產品，只是HBM被認為是記憶體製造裡門檻最高的一段。
而在AI最關鍵也最賺錢、落差最大的HBM，韓國已在量產HBM3E並推進HBM4，中國則仍卡在堆疊精度、熱管理與穩定良率等細節，短期難以靠砸錢速成。
韓媒指出，半導體世代迭代太快，一旦錯過節點轉換，舊技術很快就失去經濟價值；即便在中低階市場取得份額，也不等於能動搖高端記憶體長期格局。換言之，中國追趕速度正在加快，但要在先進DRAM與HBM這條最硬的戰線改寫版圖，還有一段必須靠時間與量產驗證來換取的路要走。