隨著生成式人工智慧（AI）由模型訓練逐步擴展至大規模推論與邊緣運算，高效能運算基礎設施的需求呈現指數式成長。長期關注亞洲政經局勢的我國駐新加坡代表童振源指出，在「AI超級循環」帶動下，全球AI伺服器與資料中心對高效能DRAM與高頻寬記憶體（HBM）的需求迅速攀升，使韓國半導體產業於2026年第一季交出亮眼成績。出口額連續刷新單月歷史紀錄，顯示產業景氣已明顯進入新一輪上升週期。
最新統計顯示，韓國半導體出口呈現強勁成長。今年一月出口額達205億美元，年增率高達102.7%；二月更攀升至252億美元，年增率達160.8%。同時，今年第一季DRAM與HBM合約價格亦可能出現接近翻倍的季度漲幅，使韓國記憶體雙雄迎來罕見的獲利擴張期。
童振源分析，從市場結構來看，三星電子與SK海力士長期穩居全球DRAM主要供應商之列，兩者合計市占率約占全球市場三分之二；在高頻寬記憶體（HBM）領域，韓國企業的市占率更維持在約八成水準，凸顯其在全球AI硬體供應鏈中的關鍵地位。
▲駐新加坡代表童振源博士近期出席新加坡台灣大學校友會成立大會，發表新書《Taiwan at the Core: Strategic Partner in the Global Semiconductor Landscape and Realignment》。(圖／翻攝自臉書） 今年初最受矚目的產業里程碑，是二月正式迎來的「HBM4時刻」。韓國兩大記憶體巨頭SK海力士與三星電子幾乎同時宣布，第六代高頻寬記憶體（HBM4）進入量產階段。HBM4首次導入邏輯製程的基礎晶粒（base die），使記憶體與運算單元之間的技術界線逐漸模糊，也象徵AI晶片與記憶體整合程度進一步提升。
童振源指出，在今年的全球消費電子展（CES）上，SK海力士展示16層堆疊、容量達48GB的HBM4產品，業界普遍預期其將取得NVIDIA的大量記憶體訂單。三星電子亦展現強勁競爭力，第一季已開始向客戶交付HBM4產品，並宣布擴充約70%的相關產能。憑藉整合元件製造商（IDM）的垂直整合優勢，三星正與Google、Broadcom等科技公司洽談客製化HBM4合作。
童振源認為在邏輯晶片與晶圓代工領域，三星電子已確定第二代2奈米製程（SF2P）將於2026年下半年量產，相較前一世代在效能與功耗表現上均有所提升。據業界消息，三星2奈米環繞閘極（GAA）製程良率已接近50%的關鍵門檻。在特斯拉等AI晶片需求帶動下，公司預期2026年2奈米相關訂單將較去年成長逾三成，同時持續推進1.4奈米製程研發，目標於2029年量產。
在產業競爭日益激烈的背景下，韓國政府亦加強政策支持。經過長時間討論後，韓國國會於2026年一月通過《半導體特別法》，將半導體產業定位為國家戰略基礎設施。該法案不僅為龍仁等大型半導體聚落的電力與水資源供應提供法律保障，也推出具吸引力的租稅優惠，包括大型企業20%、中小企業30%的設施投資稅額抵減，研發支出抵減率最高可達50%。
然而，政策落實仍面臨過渡期挑戰。原規劃規模達2兆韓元（約14億美元）的「半導體特別帳戶」，因財政法修法進度延宕，預計至2027年才會正式啟動，使2026年的產業支持仍須仰賴一般預算補充。此外，產業界長期主張將核心研發人員排除於每週52小時工時限制之外，但相關提案最終未納入法案，也反映出韓國在科技競爭與勞動權益之間仍存在政策拉鋸。
▲三星電子宣布，正式量產全球首款、業界領先的商用第六代高頻寬記憶體HBM4產品。（圖╱三星電子提供） 在地緣政治層面，面對美中科技競爭升溫，韓國政府於2025年底成功爭取到重要緩衝期。根據暫時性貿易協議，美國將「實體清單附屬規則」的適用期限延後至2026年11月，使三星與SK海力士得以暫時維持中國廠區設備運作與既有產線生產。
童振源總結，儘管如此長期出口管制壓力仍促使韓國企業重新調整全球布局。韓國半導體大廠正逐步推動「產能地理分割」策略，中國廠區主要轉向成熟製程與舊世代記憶體生產，而最先進的HBM4產線與未來2奈米邏輯製程則集中於韓國本土與美國。
整體而言，憑藉HBM4等先進記憶體技術優勢，以及在全球DRAM市場的關鍵影響力，韓國已從單純零組件供應者逐步轉型為AI硬體生態的重要支柱。第一季出口與價格同步攀升，使2026年極可能成為韓國半導體的「超級循環年」，並為未來全球AI產業競局奠定新的格局。
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童振源分析，從市場結構來看，三星電子與SK海力士長期穩居全球DRAM主要供應商之列，兩者合計市占率約占全球市場三分之二；在高頻寬記憶體（HBM）領域，韓國企業的市占率更維持在約八成水準，凸顯其在全球AI硬體供應鏈中的關鍵地位。
童振源指出，在今年的全球消費電子展（CES）上，SK海力士展示16層堆疊、容量達48GB的HBM4產品，業界普遍預期其將取得NVIDIA的大量記憶體訂單。三星電子亦展現強勁競爭力，第一季已開始向客戶交付HBM4產品，並宣布擴充約70%的相關產能。憑藉整合元件製造商（IDM）的垂直整合優勢，三星正與Google、Broadcom等科技公司洽談客製化HBM4合作。
童振源認為在邏輯晶片與晶圓代工領域，三星電子已確定第二代2奈米製程（SF2P）將於2026年下半年量產，相較前一世代在效能與功耗表現上均有所提升。據業界消息，三星2奈米環繞閘極（GAA）製程良率已接近50%的關鍵門檻。在特斯拉等AI晶片需求帶動下，公司預期2026年2奈米相關訂單將較去年成長逾三成，同時持續推進1.4奈米製程研發，目標於2029年量產。
在產業競爭日益激烈的背景下，韓國政府亦加強政策支持。經過長時間討論後，韓國國會於2026年一月通過《半導體特別法》，將半導體產業定位為國家戰略基礎設施。該法案不僅為龍仁等大型半導體聚落的電力與水資源供應提供法律保障，也推出具吸引力的租稅優惠，包括大型企業20%、中小企業30%的設施投資稅額抵減，研發支出抵減率最高可達50%。
然而，政策落實仍面臨過渡期挑戰。原規劃規模達2兆韓元（約14億美元）的「半導體特別帳戶」，因財政法修法進度延宕，預計至2027年才會正式啟動，使2026年的產業支持仍須仰賴一般預算補充。此外，產業界長期主張將核心研發人員排除於每週52小時工時限制之外，但相關提案最終未納入法案，也反映出韓國在科技競爭與勞動權益之間仍存在政策拉鋸。
童振源總結，儘管如此長期出口管制壓力仍促使韓國企業重新調整全球布局。韓國半導體大廠正逐步推動「產能地理分割」策略，中國廠區主要轉向成熟製程與舊世代記憶體生產，而最先進的HBM4產線與未來2奈米邏輯製程則集中於韓國本土與美國。
整體而言，憑藉HBM4等先進記憶體技術優勢，以及在全球DRAM市場的關鍵影響力，韓國已從單純零組件供應者逐步轉型為AI硬體生態的重要支柱。第一季出口與價格同步攀升，使2026年極可能成為韓國半導體的「超級循環年」，並為未來全球AI產業競局奠定新的格局。
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